无线及射频 - 低噪声放大器

电源管理(裸芯片)


 

1.     稳压类芯片

 

1.    

 

1.1.   正转负芯片

 

型号

功能

负载能力mA

工作电压(V)

输出电压(V)

开关频率(MHz)

NCC06C

25mA 开关电容式电压转换器

25

3~8

-3~-8

0.5/1

NCC22C

200mA 开关电容式电压转换器

200

3~5

-3~-5

1

  

1.    

 

1.1.    

 

1.2.   负压偏置芯片

 

型号

功能

负载能力mA

输出电流(mA)/

输出电平(V)

工作电压(V)

NCC07C

外部可调负压偏置

100

-3.5~-0.5

-5

NCC08C

可编程负压偏置

50

-1.2~-0.5

-5

NCC09C

可编程负压偏置

100

-3.5~-1.0

-5

NCC11C

多路输出可选负压偏置

150

-1.0~-0.5

-5

NCC12C

多路输出可选负压偏置

150

-2.6~-1.6

-5

NCC13C

外部可调负压偏置

150

-3.6~-0.5

-5

NCC18C

双向电流能力的外部可调负压偏置

±200

-3.5~-0.4

-5

NCC19C

双向电流能力的可编程负压偏置

±200

-3.5~-0.4

-5

NCC20C

随温度变化的负压偏置

50

-2~-1.7

-5

NCC21C

双向电流能力的多路输出可选负压偏置

±120

-1.0~-0.5

-5

NCC32C

双向电流能力的多路输出可选负压偏置

±100

-1.2~-0.5

-5

NCC38C

双向电流能力的 多路输出可选负压偏置

±100

-1.6~-3.0

-5

NCC1001C

双向电流能力的可编程负压偏置

±100

-3.5~-1.0

-5

NCC1002C

双向电流能力的可编程负压偏置

±100

-1.2~-0.5

-5

NCC1003C

双向电流能力的 多路输出可选负压偏置

±120

-2.6~-1.6

-5

NCC1004C

外部可调负压偏置

150

-12~-1.25

-20~-5

NCC1007C

集成负控正功能的可编程负压偏置

200

-3.675~-0.42

-5

NCC1008C

集成负控正功能的外部可调负压偏置

200

-3.675~-0.42

-5

NCC1009C

双路双向可编程负压偏置

±100

-3.675~-0.42

-5

NCC1009C-1

双向可编程负压偏置

±100

-3.675~-0.42

-5

NCC1009C-2

双向可编程负压偏置

±100

-3.675~-0.42

-5

NCC1021C

双向可编程负压偏置

±100

-3.5~-0.4

-5

 

1.    

  

1.3.   正压线性稳压器芯片

 

型号

功能

负载能力mA

工作电压(V)

输出电压(V

替代型号

NCC29C

50V 12V专用型偏置芯片

15

20~60

12

-

NCC41C

3.3V 固定输出线性稳压器

350

3.7~5.5

3.3

-

NCC1013C

外部可调正压 LDO

500

2.5~20

1.3~19

LT1763(ADJ)

NCC1014C

3.3V 固定输出正压 LDO

500

4.3~20

3.3

LT1763(3.3V)

NCC1012C-1

外部可调正压 LDO

1500

2.5~20

1.3~19

LT1963(ADJ)

NCC1012C-2

5V 输出正压 LDO

1500

6~20

5

LT1963(5V)

 

 

   

1.4 DCDC 开关电源芯片

 

型号

功能

输入电压(V)

输出电压(V)

工作频率(KHz)

替代型号

NCC3855C

双路降压 DC/DC 控制器

4.5~38

0.6~12.5

250~770

LTC3855

 

2.     驱动器及调制器芯片

 

1.          

 2.1         低压驱动器芯片

 

型号

功能

输出电压

(/) (V)

峰值电流

(A)

工作电压

(V)

开关时间

(ns)

替代型号

NCD01C-04B

同相+反相驱动器

0/VS

4

5~18

≤35

--

NCD03C-1P5A

NCD4427C

 

双路同相驱动器

 

0/VS

 

1.5

 

5~18

 

≤35

 

MIC4427

NCD03C-1P5B

NCD4428C

 

同相+反相驱动器

 

0/VS

 

1.5

 

5~18

 

≤35

 

MIC4428

NCD03C-1P5C

NCD4426C

 

双路反相驱动器

 

0/VS

 

1.5

 

5~18

 

≤35

 

MIC4426

NCD04C-03A

NCD4424C

 

双路同相驱动器

 

0/VS

 

3

 

5~18

 

≤35

 

MIC4424

NCD04C-03B

NCD4425C

 

同相+反相驱动器

 

0/VS

 

3

 

5~18

 

≤35

 

MIC4425

NCD04C-03C

NCD4423C

 

双路反相驱动器

 

0/VS

 

3

 

5~18

 

≤35

 

MIC4423

NCD02C-06A (NCD4420C)

 

单路同相驱动器

 

0/VS

 

6

 

5~18

 

≤30

 

MIC4420

NCD02C-06B (NCD4429C)

 

单路反相驱动器

 

0/VS

 

6

 

5~18

 

≤30

 

MIC4429

NCD05C-09A (NCD4422C)

 

单路同相驱动器

 

0/VS

 

9

 

5~18

 

≤60

 

MIC4422

NCD05C-09B (NCD4421C)

 

单路反相驱动器

 

0/VS

 

9

 

5~18

 

≤60

 

MIC4421

NCD06C-12A (NCD4452C)

 

单路同相驱动器

 

0/VS

 

12

 

5~18

 

≤75

 

MIC4452

NCD06C-12B (NCD4451C)

 

单路反相驱动器

 

0/VS

 

12

 

5~18

 

≤75

 

MIC4451

 

 

 

型号

功能

EN 控制模式

输出电压 (/) (V)

峰值电流(A)

工作电 压(V)

开关时 间(ns)

NCD22C-02A

带负压使能同相驱动器

负压使能

0/VS

2

5~18

≤25

NCD22C-02B

带负压使能反相驱动器

负压使能

0/VS

2

5~18

≤25

NCD25C-09A

带负压使能同相驱动器

负压使能

0/VS

9

5~18

≤45

NCD25C-09B

带负压使能反相驱动器

负压使能

0/VS

9

5~18

≤45

NCD67C

带负压使能的双路反相驱动器

负压使能

0/VS

3

5~12

≤15

NCD109C-03A

带正压使能的双路同相驱动器

正压使能

0/VS

3

5~18

≤35

NCD109C-03B

带正压使能的同相+反相驱动器

正压使能

0/VS

3

5~18

≤35

NCD109C-03C

带正压使能的双路反相驱动器

正压使能

0/VS

3

5~18

≤35

 

 

 2.2高压 PMOS 驱动器芯片

 

型号

驱动管类型

EN 控制模式

峰值电流(A)

工作电压

(V)

输出电压

(/) (V)

工作频率(KHz)

NCD10C

PMOS

负压使能

2

14~34

VB-13~VB

0~100

NCD100C

PMOS

负压使能

2

28

VB-12~VB

0~100

NCD101C

PMOS

负压使能

0.5

28

VB-12~VB

0~50

NCD110C

PMOS

负压使能

2

28

VB-6~VB

0~1000

NCD111C

PMOS

负压使能

2

14~40

VB-10~VB

0~1000

NCD1005C

PMOS

负压使能

1

14~80

VB-6~VB

0~1000

NCD36C

PMOS

负压使能

1.5

12/20~70

VB-13~VB

0~300

NCD10C

PMOS

负压使能

2

14~34

VB-13~VB

0~100

 

1. 

 

1.1. 

 2.3 NMOS/GaN 半桥驱动器芯片

 

型号

驱动管类型

EN 控制模式

峰值电流(A)

工作电压(V)

工作频率(KHz)

NCD51C

NMOS

正压使能

1.5

20~300

0~300

NCD1006C

NMOS/GaN

1.2/5

5~80

0~3000

NCD1007C

NMOS

正压使能

1.5

5~100

0~500

NCD1015C

NMOS

正压使能

1.5

12~300

0~300

 

2.4 大电流调制器芯片

 

型号

功能

工作电压(V)

输出电压(低/高)(V)

直流驱动能力(A)

导通电阻()

开关时间(ns)

NCD52C

双路同相漏极调制器

5

0/VS

0.5

0.7

≤10

NCD53C

负压使能双路调制

5

0/VS

0.5

0.7

≤15

NCD65C-09A

双路同相漏极调制器

5~12

0/VS

0.5

0.9

≤10

NCD65C-09B

同相+反相漏极调制器

5~12

0/VS

0.5

0.9

≤10

NCD65C-09B-M

反相+同相漏极调制器

5~12

0/VS

0.5

0.9

≤10

NCD65C-09C

双路反相漏极调制器

5~12

0/VS

0.5

0.9

≤10

NCD113C

单路同相漏极调制器

5

0/VS

1

0.2

≤10

NCD112C

双路同相漏极调制器

5

0/VS

1

0.2

≤10

NCD29C

多功能 MOSFET 驱动器

5~12

VL/VH

0.5

0.6

≤12

NCD58C

多功能 MOSFET 驱动器

5~12

VL/VH

0.5

0.6

≤10

NCD116C

负压使能大功率调制器

4~36

0/VIN

5

0.015

≤100

 

1.          

 2.5         功放栅极调制器芯片

 

型号

功能

典型工作电压(V)

输出电压(V)

驱动电流(mA)

开关时间(ns)

NCD47C

功放栅极调制驱动

5

-2/-20

20

≤25

NCC39C

正相负压栅控开关

5/-5

-3.5~-0.4/-5

200

≤20

NCC40C

反相负压栅控开关

5/-5

-3.5~-0.4/-5

200

≤20

NCC1016C

正相双路电压 可调负压栅控开关

5/-5

-3.5~-0.4/-4.5~-1.5

200

≤20

 

1.      

 3.     MOSFET 芯片

 

型号

沟道类型

漏源电压(V)

导通电阻(mΩ)

漏极电流(A)

栅极门限电压(V)

NCF6001C-0604

PMOS

-60

15

-40

-3.0

NCF6002C-0601

PMOS

-60

65

-10

-1.8

NCF6004C-0301

PMOS

-30

11

-12

-1.5

NCF7001C-1210

NMOS

120

6

100

3.0

 

2. 

 

2.1. 

 

2.2. 

 

2.3. 

 

2.4. 

 

2.5. 

 

1. 

 

1.1. 

 

1.2. 

 

1.3. 

 

1.4. 

 

1.5. 

 

1.6. 

 

1.7. 

 

1.8. 

 

1.9. 

 

4 多功能电源管理芯片

 

2. 

 

2.1. 

 

2.2. 

 

2.3. 

 

2.4. 

 

2.5. 

 

2.6. 

 

2.7. 

 

2. 

 

2.1. 

 

2.2. 

 

2.3. 

 

2.4. 

 

2.5. 

 

2.6. 

 

2.7. 

 

2.8. 

 

2. 

 

2.1. 

 

2.2. 

 

2.3. 

 

2.4. 

 

2.5. 

 

2.6. 

 

2.7. 

 

2.8. 

 

2.9. 

 

型号

功能

正电源工作电压(V)

负电源工作电压(V)

负压输出V

负压输出电流

mA

漏极驱动电流mA

NCC33C

集成串转并电路、逻辑控制电路、电平移位电PA驱放LNA 电 源脉冲调制电路和栅极偏置电路

5/8

-5

-0.8~-0.5/

-0.85~-0.5

10/

0.1

400/200/200

NCC34C

集成串转并电路、逻辑控制电路、电平移位电PA驱放LNA

源脉冲调制电路和MOSFET 驱动电路

5

-

-

-

300/300/300

NCC846C

提供低噪放调制、驱放 调制、栅压偏置、 功放调制

15~36

-5.5~-4.5

-2.6~-1.8

±10

150/150

NCC1010C

集成正压 LDO正转负驱动器以及运算放大器

7~12

-

-3.5~-0.5

20

50

NCD68C

为功放提供可调栅压 和漏极调制

5~12

-6~-4.5

-2~-0.5

100

±50

 

 

 

 

 

注:以上裸芯片产品可提供塑封或金属陶封产品形式,详情请联系供方。